POTENCIA TU PORTÁTIL: ¿Quieres mejorar el rendimiento de tu portátil? ¿Te gustaría tener una memoria que te permita trabajar y jugar con fluidez y rapidez? Entonces necesitas la nueva generación de memorias SO-DIMM DDR5, que te ofrecen una potencia sin igual. La nueva memoria SO-DIMM DDR5 te permite alcanzar velocidades de hasta 4800 MHz, lo que supone un aumento del 50% respecto a las memorias SO-DIMM DDR4. Además, cuenta con una capacidad de 16 GB, ideal para manejar grandes cantidades de datos y aplicaciones. Y todo ello con una latencia de CL40, que asegura una comunicación eficiente y precisa.

COMPACTA Y EFICIENTE: Pero la potencia no lo es todo. La nueva memoria SO-DIMM DDR5 también te ofrece un diseño compacto y eficiente, que se adapta perfectamente a tu portátil. Gracias a su formato SO-DIMM, la memoria ocupa menos espacio y facilita la instalación y el mantenimiento. Además, la memoria tiene un disipador térmico integrado, que ayuda a disipar el calor y a prolongar la vida útil del producto. La nueva memoria SO-DIMM DDR5 también te ofrece un ahorro de energía, ya que funciona con un voltaje de 1.1 V. Así podrás reducir el consumo de tu portátil y aumentar su autonomía.

LISTA PARA LO QUE VENGA: La nueva memoria SO-DIMM DDR5 es compatible con los dispositivos más innovadores del mercado, como los portátiles con procesadores Intel Alder Lake y las placas base Z690. Así podrás disfrutar de las últimas novedades tecnológicas y estar preparado para lo que venga.

FRECUENCIAS MÁS ALTAS EL DDR5-4800 SO-DIMM ofrece frecuencias deslumbrantes de hasta 4800 MHz, un gran salto desde la máxima frecuencia de los módulos DDR4 (3200 MHz). Más eficiencia energética Este módulo de memoria de próxima generación funciona con solo 1,1 V, lo que lo hace un 8% más energéticamente eficiente que DDR4. Además, cuenta con un IC de administración de energía (PMIC) integrado para mejorar la estabilidad de la fuente de alimentación. Capacidad duplicada La arquitectura de este módulo de memoria permite más grupos de bancos y bancos de memoria. Con la misma área, se pueden empaquetar más grupos de bancos en el módulo, duplicando lo que era posible con DDR4, proporcionándole mayores capacidades. Estabilidad mejorada Con el código de corrección de errores (ECC), este módulo puede corregir errores automáticamente en tiempo real. Además de reducir en gran medida la carga de los cálculos de la CPU, también proporciona una mayor estabilidad y fiabilidad para las computadoras de clase empresarial.

MÁS EFICIENCIA ENERGÉTICA: Este módulo de memoria de próxima generación funciona con solo 1,1 V, lo que lo hace un 8% más energéticamente eficiente que DDR4. Además, cuenta con un IC de administración de energía (PMIC) integrado para mejorar la estabilidad de la fuente de alimentación.

CAPACIDAD DUPLICADA: La arquitectura de este módulo de memoria permite más grupos de bancos y bancos de memoria. Con la misma área, se pueden empaquetar más grupos de bancos en el módulo, duplicando lo que era posible con DDR4, proporcionándole mayores capacidades.

ESTABILIDAD MEJORADA: Con el código de corrección de errores (ECC), este módulo puede corregir errores automáticamente en tiempo real. Además de reducir en gran medida la carga de los cálculos de la CPU, también proporciona una mayor estabilidad y fiabilidad para las computadoras de clase empresarial.

Publicado:

27/10/2025

Última actualización:

27/10/2025

Revisado por:

Héctor Rubio (Experto en Hardware)