Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 NVMe SSD M.2 2TB PCIe 5.0
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Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 NVMe SSD M.2 2TB PCIe 5.0

Marca: SAMSUNG

EAN: 8806095811710

P/N: MZ-VAP2T0BW

Discos Duros PCIe

Fuera de stock
296,72 €
IVA incluido

Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 2 TB PCI Express 5.0 M.2 con velocidades de hasta 14700 MB/s NVMe V-NAND TLC y cifrado AES de 256 bits.

Características

Almacenamiento
2 TB
Interfaz
Pci Express 5.0
Velocidad de lectura
14700 MB/s
Velocidad de escritura
13400 MB/s

Descripción del producto

Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 NVMe SSD M.2 2TB PCIe 5.0

El Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 está diseñado para ofrecer un rendimiento de almacenamiento de última generación, ideal tanto para ordenadores de sobremesa como para portátiles. Gracias a su interfaz PCI Express 5.0, este disco duro proporciona una velocidad de lectura 14700 MB/s, lo que permite cargar sistemas operativos, programas y archivos pesados en cuestión de segundos. Su capacidad de 2 TB ofrece un amplio espacio para almacenar datos sin preocuparse por el límite de almacenamiento. Este modelo incluye encriptación de hardware AES de 256 bits, lo que garantiza la seguridad de la información personal o profesional. Además, es compatible con NVMe, lo que asegura una comunicación más eficiente entre el disco y el resto del sistema. La combinación de rendimiento, seguridad y capacidad hace que este SSD sea una opción excelente para quienes buscan fiabilidad y velocidad.

El Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 incorpora memoria V-NAND TLC, una tecnología que mejora la durabilidad y la eficiencia energética del dispositivo. Su velocidad de escritura de 13400 MB/s permite transferencias de archivos rápidas, incluso con grandes volúmenes de datos. El soporte para S.M.A.R.T. y TRIM asegura un mantenimiento inteligente del disco, prolongando su vida útil. Las especificaciones técnicas también incluyen una lectura aleatoria de 1850000 IOPS y una escritura aleatoria de 2600000 IOPS, lo que se traduce en un excelente rendimiento en tareas multitarea y aplicaciones exigentes. Con un consumo energético eficiente de apenas 8,1 W en lectura y 7,9 W en escritura, este SSD es ideal para quienes buscan un equilibrio entre potencia y eficiencia. Su factor de forma M.2 y su reducido peso de solo 9 gramos lo convierten en una solución compacta y potente para cualquier equipo moderno.

Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 2 TB PCI Express 5.0 M.2 con velocidades de hasta 14700 MB/s NVMe V-NAND TLC

RENDIMIENTO ULTRARRÁPIDO PARA LOS MÁS EXIGENTES: El Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 ofrece una velocidad de lectura 14700 MB/s que redefine los estándares de velocidad en almacenamiento. Gracias a su interfaz PCI Express 5.0 y compatibilidad con NVMe, este disco permite ejecutar tareas complejas y abrir archivos pesados en segundos. La memoria V-NAND TLC garantiza un rendimiento estable y duradero, ideal para usuarios que demandan rapidez sin comprometer la fiabilidad. Este SSD es perfecto para quienes trabajan con programas de edición, juegos de última generación o grandes bases de datos, ya que responde con fluidez y sin retrasos. Además, su factor de forma M.2 permite una integración sencilla en cualquier equipo compatible.

SEGURIDAD Y EFICIENCIA EN UN FORMATO COMPACTO: Con una encriptación de hardware AES de 256 bits, el Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 protege tus datos personales y profesionales con los más altos estándares de seguridad. Su memoria V-NAND TLC no solo mejora la eficiencia energética, sino que también prolonga la vida útil del dispositivo. El consumo energético reducido de 8,1 W en lectura y 7,9 W en escritura permite un uso prolongado sin sobrecalentar el sistema. Además, su velocidad de escritura de 13400 MB/s asegura una transferencia de datos rápida y fiable. Este modelo combina potencia, seguridad y eficiencia en un diseño ligero de solo 9 gramos, ideal para configuraciones modernas que requieren alto rendimiento en poco espacio.

ALTO RENDIMIENTO EN CUALQUIER SITUACIÓN: El Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 no solo destaca por su velocidad de lectura 14700 MB/s, sino también por su impresionante capacidad de procesamiento multitarea. Gracias a su lectura aleatoria de 1850000 IOPS y escritura aleatoria de 2600000 IOPS, este SSD responde con agilidad incluso en entornos exigentes. La memoria V-NAND TLC contribuye a un rendimiento fluido y constante, manteniendo la estabilidad del sistema incluso bajo carga. Su compatibilidad con S.M.A.R.T. y TRIM permite un mantenimiento autónomo que optimiza el rendimiento a largo plazo. Ya sea para gaming, edición de vídeo o uso profesional intensivo, este disco duro es una solución fiable y veloz.

DISEÑO LIGERO Y ROBUSTO PARA MAYOR DURABILIDAD: El Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 combina un diseño compacto con una resistencia sobresaliente. Su peso de solo 9 gramos facilita su instalación en portátiles y PC de pequeño formato, sin sacrificar potencia. La memoria V-NAND TLC no solo mejora la eficiencia energética, sino que también garantiza una mayor durabilidad frente al uso intensivo. Soporta golpes de hasta 1500 G y temperaturas de funcionamiento entre 0 y 70 °C, lo que lo convierte en un componente fiable incluso en condiciones exigentes. Además, su tiempo medio entre fallos de 1.500.000 horas asegura una larga vida útil, ideal para usuarios que necesitan rendimiento sostenido durante años.

AMPLIA CAPACIDAD Y TRANSFERENCIA EFICIENTE DE DATOS: Con una capacidad de 2 TB, el Disco Duro SSD Samsung 9100 Pro MZ-VAP2T0 ofrece espacio más que suficiente para almacenar todo tipo de archivos, desde documentos hasta vídeos en alta resolución. Su velocidad de escritura de 13400 MB/s permite mover grandes volúmenes de datos en segundos, mejorando la productividad y reduciendo los tiempos de espera. La memoria V-NAND TLC asegura una transferencia constante y sin interrupciones, mientras que el soporte para NVMe optimiza la comunicación con el sistema. Este SSD es ideal para quienes buscan velocidad, capacidad y fiabilidad en un solo producto.

RENDIMIENTO REVOLUCIONARIO PCIe® 5.0: Lleva el rendimiento de PCIe® 5.0 al máximo. El 9100 PRO alcanza velocidades de lectura/escritura secuenciales ultrarrápidas de hasta 14,800/13,400 MB/s, dos veces más rápido que el 990 PRO. Deja atrás los límites de Gen4 con velocidades de lectura/escritura aleatorias de hasta 2,200K/2,600K IOPS, solo posible con Gen5.

POTENCIA DE PROCESAMIENTO IMPRESIONANTE: Supera los límites de productividad. Las emocionantes velocidades de lectura/escritura aleatorias permiten un procesamiento paralelo ultrarrápido para innumerables datos fragmentados, de hasta 2,200K/2,600K IOPS. Experimenta una salida superior y cargas instantáneas para juegos enormes, tareas de alto rendimiento e incluso aplicaciones de IA.

CREACIÓN RÁPIDA DE IA: La inteligencia redefine el rendimiento. Desafía tus límites en el trabajo y el juego con un PC de IA integrado y generación de contenido de IA, impulsado por las emocionantes velocidades de lectura/escritura aleatorias de 9100 PRO de hasta 2,200K/2,600K IOPS. Cargas rápidas, juego fluido, rendimiento sin interrupciones.

RENDIMIENTO EXCEPCIONAL A TU ALCANCE: Eleva tu ventaja competitiva. Avanza sin esfuerzo en la edición de video, arte 3D e incluso largas sesiones de transmisión con las últimas interfaces PCIe® 5.0. Experimenta un rendimiento de vanguardia en cualquier momento, en cualquier lugar, en cualquier dispositivo, y elige el almacenamiento que necesitas con una capacidad expansiva de hasta 8TB.

EFICIENCIA TÉRMICA EXTRAORDINARIA: Rendimiento máximo, sin interrupciones. La avanzada arquitectura de potencia del controlador de 5nm mejora la eficiencia energética hasta un 49% sobre el 990 PRO. El control térmico excepcional asegura que nada interrumpa tu flujo, para que puedas mantener los programas más exigentes funcionando con la máxima potencia posible de PCIe® 5.0.

SOFTWARE SAMSUNG MAGICIAN: Haz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician aseguran el mejor rendimiento del SSD. Es una forma segura y fácil de migrar todos tus datos para una actualización de SSD de Samsung. Protege datos valiosos, monitorea la salud de la unidad y obtén las últimas actualizaciones de firmware.

TRAYENDO INNOVACIONES A LA VIDA: Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías innovadoras que han cambiado cada parte de nuestras vidas diarias. Esta tecnología de memoria flash NAND también impulsa nuestros SSD de consumo, haciendo espacio para el próximo gran avance de la innovación.

RENDIMIENTO PCIe® 5.0: Velocidades secuenciales máximas de 14,800/13,400 MB/s, dos veces más rápido que el 990 PRO.

AVANZA TU JUEGO: Mega capacidad con compatibilidad excepcional.

CONTROL INNOVADOR DE POTENCIA Y TÉRMICO: Hasta un 49% de mejora en la eficiencia energética con control térmico avanzado.

Tabla de especificaciones

Marca Samsung
Modelo MZ-VAP2T0BW
Características - Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 2 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Si
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/ordenador portátil
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía - Consumo eléctrico promedio (lectura): 8,1 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,9 W
- Operating voltage: 3.3 V
Peso y dimensiones - Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
Empaquetado - Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G

Detalles del producto

TIPO DE MEMORIA
V-NAND TLC
DISPOSITIVO
ORDENADOR PORTATIL
SOBREMESA
TIPO DE FORMA
M.2
ALMACENAMIENTO
2 TB
PROFUNDIDAD
2 mm
ANCHO
80 mm
ALTURA
22 mm
PESO
9 g
INTERFAZ
PCI EXPRESS 5.0
VELOCIDAD DE LECTURA
14700 MB/s
VELOCIDAD DE ESCRITURA
13400 MB/s
PROTOCOLOS DE SEGURIDAD
256-bit AES
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS
1500000 h
RANGO DE TEMPERATURAS OPERATIVAS
0 - 70 °C
ENCRIPTACION DE HARDWARE
SI
TECNOLOGIA SMART
SI
TECNOLOGIA TRIM
SI
LECTURA ALEATORIA
1850000 IOPS
ESCRITURA ALEATORIA
2600000 IOPS
NVME
SI
RESISTENCIA A GOLPES (OPERATIVO)
1500 G

Información extra

Publicado:
27/10/2025
Última actualización:
27/10/2025
Revisado por:
Héctor Rubio (Experto en Hardware)

Metodología y control de calidad

Datos basados en ficha oficial y materiales del fabricante. Si detectas alguna discrepancia, contacta con nuestro equipo. ¡Gracias y disfruta de tu compra!

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ALMACENAMIENTO 2 TB 256 GB 256 GB 256 GB 256 GB
INTERFAZ PCI EXPRESS 5.0 PCI EXPRESS 3.0 PCI EXPRESS 3.0 PCI EXPRESS 3.0 PCI EXPRESS 3.0
VELOCIDAD DE ESCRITURA 13400 MB/s 1100 MB/s 1200 MB/s 1200 MB/s 1150 MB/s
VELOCIDAD DE LECTURA 14700 MB/s 1700 MB/s 3500 MB/s 3500 MB/s 2950 MB/s
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